基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG120 |
| 中标分类： | 综合 >> 标准化管理与一般规定 >> 技术管理 |
| 发布部门： | 中国电子工业总公司 |
| 发布日期： | 1992-11-19 |
| 实施日期： | 1993-05-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 提出单位： | 中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂 |
| 起草人： | 王长福、王承琳、谢佩兰 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1993-04-01 |
| 页数： | 9页 |
适用范围
本规范规定了3DG120型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求.该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).
前言
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目录
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引用标准
GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
所属分类： 综合 标准化管理与一般规定 技术管理